金升阳：15-30VDC宽电压输入 双向充电电源模块——MBP2403RP-2A/3A/5A

第三方认证的PCE为16.8%，金升应该是单块异质结PSCs的最高值之一。

从定性上看，阳1压输源模两种样品都有Gc和Guc峰，Gc峰强度随电压升高而减小，Guc峰强度随电压升高而增大。宽电块这现象表明了Li+嵌入物将电子贡献给了石墨。

为了进一步了解Zn2+在水系ZIBs中的存储机制，入双利用原位拉曼对ZMO@PCPs阴极充电/放电过程进行了分析，探索其阶段演化过程(图5c)。在0.01V时，向充由于金属级化合物和声子散射过程的干扰，两个样品都呈现出不对称的扇形共振线。当放电电压在0.5V以下，电电由于分解反应，二维结构会被破坏。

金升G峰的消失是由于第一阶段的GIC高导电性导致光学表面深度和拉曼散射强度的降低。根据原位拉曼和非原位x射线衍射结果，阳1压输源模MoS2-xSex二维的层状晶体结构的维持取决于放电电位范围。

如图6b，宽电块c所示，在放电过程中，前30min内没有出现明显的峰值。

入双图4 石墨和rGO的原位拉曼光谱[3]研究者们利用原位拉曼研究了碳质材料在电化学掺杂过程中的结构和电子性质。向充1996年进入日本科技厅神奈川科学技术研究院工作。

1983年毕业于长春工业大学，电电1984年留学日本，1990年获东京大学博士，1990–1993年东京大学和国立分子科学研究所博士后。1993年6月回北京大学任教，金升同年晋升教授。

其指导过的中国学生包括：阳1压输源模北京大学刘忠范院士、北京航空航天大学江雷院士、中国科学院化学所姚建年院士。获日中科技交流协会有山兼孝纪念研究奖(1992)、宽电块香港求是科技基金会杰出青年学者奖(1997)、宽电块中国分析测试协会科学技术奖一等奖(2005)、教育部高等学校科学技术奖自然科学一等奖(2007)、国家自然科学二等奖(2008, 2017)、中国化学会-阿克苏诺贝尔化学奖(2012)、宝钢优秀教师特等奖(2012)、日本化学会胶体与界面化学年会Lectureship Award(2016)、北京大学方正教师特别奖(2016)、北京市优秀教师(2017)、ACS Nano LectureshipAward(2018)等。